IS42S86400F-7TLI

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器， 根据 DRAM 选项， 可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。 内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。 512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。 所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。 所有输入和输出与 UV TTL 兼容。 512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据， 并自动生成列地址， 能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间， 并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址