IRS21867STRPBF-JSM
自营可供
IC
SOP-8
IRS21867STRPBF-JSM
内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路
品牌
JSMSEMI
封装
SOP-8
交期
现货
批次
—
IRS21867STRPBF-JSM参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET； IGBT |
| 灌电流(IOL) | 4A |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 下降时间(tf) | 20ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 3,988 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 拉电流(IOH) | 4A |
| 上升时间(tr) | 10ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 静态电流(Iq) | 100uA |
IRS21867STRPBF-JSM概述
内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路
IRS21867STRPBF-JSM特性
- 内置欠压锁定电路， 当电源电压低于 典型阈值8V 时， 自动关断所有输出通道， 防止功率器件因栅极电压不足导致导通损耗过大、发热严重甚至损坏， 显著提升系统可靠性。
- 10ns级上升时间、20ns级下降时间， 可有效降低功率器件的 开关损耗 （如MOSFET的导通/关断损耗）， 提升系统整体效率， 尤其适合高频应用场景。
- 10V~20V的工作电压范围， 兼容12V、15V、18V等常见电源设计， 无需额外稳压电路即可适配不同系统的电源输出， 简化外围电路。
- 仅100uA的静态电流， 在待机或轻载状态下大幅降低系统功耗， 适合对待机功耗敏感的应用（如智能家居电源、电池供电设备）。
- -40℃~+125℃的宽工作温度范围， 满足户外（如太阳能逆变器）、工业现场（如电机调速器）等极端温度环境的稳定运行， 无需额外散热设计。
- IRS21867STRPBF-JSM 作为国产替代方案， 兼具性能与成本优势
- 性能均衡：高驱动能力、快速开关、低功耗三者兼顾， 适配多场景功率驱动
- 可靠性高：内置UVP保护+工业级宽温， 降低系统故障风险
- 设计简便：SOP-8封装易布局， 外围电路仅需5~6个元件， 缩短开发周期
- 成本可控：杰盛微的国产供应链优势， 性价比优于进口同类器件（如IR21867）。
- 该器件可广泛应用于家电、工业控制、新能源等领域， 是中小功率半桥驱动场景的高性价比选择。
IRS21867STRPBF-JSM应用领域
- IRS21867STRPBF-JSM 是杰盛微（JSMSEMI）推出的 双通道半桥栅极驱动器， 主要适配中小功率功率器件驱动场景， 典型应用包括
- BLDC电机驱动：家电（风扇、洗衣机）、小型电动车、工业伺服系统的三相半桥拓扑
- 开关电源：AC-DC变换器的PFC电路、DC-DC同步整流拓扑
- 逆变器：太阳能微型逆变器、UPS不间断电源的半桥逆变单元
- 工业控制：电机调速器、伺服驱动器的功率级驱动环节。
- 其半桥架构、双独立通道的设计， 天然匹配上述场景的功率拓扑需求， 无需额外扩展通道即可实现上下桥臂同步驱动。
- 以BLDC电机驱动为例， IRS21867STRPBF-JSM的双通道可分别驱动半桥拓扑的 上桥臂（悬浮栅） 和 下桥臂（地栅） MOSFET
- 上桥臂需搭配自举二极管（1N5819）和自举电容（1μF/50V）， 实现栅极悬浮供电
- 下桥臂直接通过地平面供电， 外围仅需少量栅极电阻（10Ω~100Ω， 匹配功率器件栅极电容）和滤波电容
- 输入信号由MCU或专用电机控制芯片提供， 驱动电路无需复杂逻辑转换， 设计周期短。