IRLZ34NSTRLPBF-VB
IC
TO-263
可供量大可议
IRLZ34NSTRLPBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO263； N—Channel沟道, 60V； 50A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=10V； Vth=1~3V； 是一款单N场效应管， 采用Trench工艺制造。 具有高效、稳定和可靠的特性， 适用于多种领域的功率电子应用， 可满足不同应用场景的需求。
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
5
货期
现货
IRLZ34NSTRLPBF-VB参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IRLZ34NSTRLPBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO263； N—Channel沟道, 60V； 50A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=10V； Vth=1~3V； 是一款单N场效应管， 采用Trench工艺制造。 具有高效、稳定和可靠的特性， 适用于多种领域的功率电子应用， 可满足不同应用场景的需求。
IRLZ34NSTRLPBF-VB特性
暂无产品特性。
IRLZ34NSTRLPBF-VB应用领域
暂无应用领域。