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IRLZ34NSTRL(UMW)
IC

TO-263

可供量大可议

IRLZ34NSTRL(UMW)

特性:第五代采用先进加工技术, 在单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。 VDS(v) = 55V。 ID = 16A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 10V)

品牌

UMW

封装

TO-263

库存

1,400

货期

现货

IRLZ34NSTRL(UMW)参数

封装TO-263
品牌UMW(友台半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存1400

IRLZ34NSTRL(UMW)概述

特性:第五代采用先进加工技术, 在单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。 VDS(v) = 55V。 ID = 16A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 10V)

IRLZ34NSTRL(UMW)特性

暂无产品特性。

IRLZ34NSTRL(UMW)应用领域

暂无应用领域。

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