IRLZ34NPBF
IC
TO-220AB
可供量大可议
IRLZ34NPBF
第五代HEXFET采用先进的加工技术， 以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。 这一优势， 再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计， 为设计人员提供了一种极其高效的器件， 可用于各种应用。 对于所有功率耗散水平约达50瓦的商业和工业应用， TO - 220封装是普遍首选
品牌
Infineon
封装
TO-220AB
库存
229
货期
现货
IRLZ34NPBF参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 229 |
IRLZ34NPBF概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术， 以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。 这一优势， 再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计， 为设计人员提供了一种极其高效的器件， 可用于各种应用。 对于所有功率耗散水平约达50瓦的商业和工业应用， TO - 220封装是普遍首选
IRLZ34NPBF特性
暂无产品特性。
IRLZ34NPBF应用领域
暂无应用领域。