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IRLS3034PBF-VB
IC

TO-263(D2PAK)

可供量大可议

IRLS3034PBF-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于高功率和高电压的场合, 可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。 TO263; N—Channel沟道, 40V; 280A; RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V, VGS=25V; Vth=1.2~2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-263(D2PAK)

库存

1

货期

现货

IRLS3034PBF-VB参数

封装TO-263(D2PAK)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

IRLS3034PBF-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于高功率和高电压的场合, 可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。 TO263; N—Channel沟道, 40V; 280A; RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V, VGS=25V; Vth=1.2~2.5V

IRLS3034PBF-VB特性

暂无产品特性。

IRLS3034PBF-VB应用领域

暂无应用领域。

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