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IRLR8743TRLPBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRLR8743TRLPBF-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为150A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至1.5毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通损耗特性使其在大电流切换场景中表现优异, 适用于服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 其参数设计聚焦于提升电能转换效率, 满足高功率密度电子设备对热管理与稳定性的严苛要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

IRLR8743TRLPBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

IRLR8743TRLPBF-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为150A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至1.5毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通损耗特性使其在大电流切换场景中表现优异, 适用于服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 其参数设计聚焦于提升电能转换效率, 满足高功率密度电子设备对热管理与稳定性的严苛要求。

IRLR8743TRLPBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRLR8743TRLPBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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