IRLR8743TRLPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR8743TRLPBF-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为150A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至1.5毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通损耗特性使其在大电流切换场景中表现优异, 适用于服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 其参数设计聚焦于提升电能转换效率, 满足高功率密度电子设备对热管理与稳定性的严苛要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IRLR8743TRLPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IRLR8743TRLPBF-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为150A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至1.5毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通损耗特性使其在大电流切换场景中表现优异, 适用于服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 其参数设计聚焦于提升电能转换效率, 满足高功率密度电子设备对热管理与稳定性的严苛要求。
IRLR8743TRLPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR8743TRLPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
