IRLR8743PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR8743PBF-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为150A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至1.5毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 器件在高频切换下保持优异热稳定性, 适合对效率要求严苛的电力转换应用, 满足紧凑型设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
435
货期
现货
IRLR8743PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 435 |
IRLR8743PBF-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为150A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至1.5毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 器件在高频切换下保持优异热稳定性, 适合对效率要求严苛的电力转换应用, 满足紧凑型设计需求。
IRLR8743PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR8743PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
