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IRLR8743PBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRLR8743PBF-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为150A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至1.5毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 器件在高频切换下保持优异热稳定性, 适合对效率要求严苛的电力转换应用, 满足紧凑型设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

435

货期

现货

IRLR8743PBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存435

IRLR8743PBF-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为150A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至1.5毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 器件在高频切换下保持优异热稳定性, 适合对效率要求严苛的电力转换应用, 满足紧凑型设计需求。

IRLR8743PBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRLR8743PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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