IRLR8729TRLPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR8729TRLPBF-HXY
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 器件适用于高效率电源转换、电池管理系统及各类中低压功率开关场景， 其低导通损耗有助于提升系统整体能效， 并在大电流工作条件下保持较低温升， 确保稳定可靠的运行性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
98
货期
现货
IRLR8729TRLPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
IRLR8729TRLPBF-HXY概述
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 器件适用于高效率电源转换、电池管理系统及各类中低压功率开关场景， 其低导通损耗有助于提升系统整体能效， 并在大电流工作条件下保持较低温升， 确保稳定可靠的运行性能。
IRLR8729TRLPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR8729TRLPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。