IRLR8726PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR8726PBF-HXY
IRLR8726PbF 是一款N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高功率密度和大电流应用设计。 器件具有30V的漏源电压(VDSS), 在极低的导通电阻3.8mR(RD(on))下, 可承载高达100A的漏极电流(ID)。 广泛应用在开关电源等领域, 以其卓越的电流处理能力和高效能表现, 成为提升系统性能和节能效果的理想半导体元件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
35
货期
现货
IRLR8726PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
IRLR8726PBF-HXY概述
IRLR8726PbF 是一款N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高功率密度和大电流应用设计。 器件具有30V的漏源电压(VDSS), 在极低的导通电阻3.8mR(RD(on))下, 可承载高达100A的漏极电流(ID)。 广泛应用在开关电源等领域, 以其卓越的电流处理能力和高效能表现, 成为提升系统性能和节能效果的理想半导体元件选择。
IRLR8726PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR8726PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
