库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
IRLR8726PBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRLR8726PBF-HXY

IRLR8726PbF 是一款N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高功率密度和大电流应用设计。 器件具有30V的漏源电压(VDSS), 在极低的导通电阻3.8mR(RD(on))下, 可承载高达100A的漏极电流(ID)。 广泛应用在开关电源等领域, 以其卓越的电流处理能力和高效能表现, 成为提升系统性能和节能效果的理想半导体元件选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

35

货期

现货

IRLR8726PBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存35

IRLR8726PBF-HXY概述

IRLR8726PbF 是一款N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高功率密度和大电流应用设计。 器件具有30V的漏源电压(VDSS), 在极低的导通电阻3.8mR(RD(on))下, 可承载高达100A的漏极电流(ID)。 广泛应用在开关电源等领域, 以其卓越的电流处理能力和高效能表现, 成为提升系统性能和节能效果的理想半导体元件选择。

IRLR8726PBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRLR8726PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件