IRLR8113TRLPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR8113TRLPBF-HXY
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 其低导通电阻特性有效减小了在大电流工作时的功率损耗与发热， 适用于对效率和热性能要求较高的电源开关、电池充放电控制及高密度功率转换等应用场合， 在高频或持续高负载条件下仍能保持稳定的电气特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
90
货期
现货
IRLR8113TRLPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
IRLR8113TRLPBF-HXY概述
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 其低导通电阻特性有效减小了在大电流工作时的功率损耗与发热， 适用于对效率和热性能要求较高的电源开关、电池充放电控制及高密度功率转换等应用场合， 在高频或持续高负载条件下仍能保持稳定的电气特性。
IRLR8113TRLPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR8113TRLPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。