IRLR8113PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR8113PBF-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体能效， 适用于高电流、高频率的开关电路。 器件在大电流工作条件下仍能维持较低温升， 适合用于对热管理和效率有较高要求的电源管理、电池供电系统及各类紧凑型电力转换模块中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
90
货期
现货
IRLR8113PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
IRLR8113PBF-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体能效， 适用于高电流、高频率的开关电路。 器件在大电流工作条件下仍能维持较低温升， 适合用于对热管理和效率有较高要求的电源管理、电池供电系统及各类紧凑型电力转换模块中。
IRLR8113PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR8113PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。