IRLR8103VPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR8103VPBF-HXY
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。 低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗与温升， 提升整体运行效率。 器件适用于高频率开关电源、电池管理系统、电动工具驱动电路以及各类需要高效能功率开关的电子设备中， 能够满足对紧凑布局和热性能要求较高的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
85
货期
现货
IRLR8103VPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
IRLR8103VPBF-HXY概述
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。 低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗与温升， 提升整体运行效率。 器件适用于高频率开关电源、电池管理系统、电动工具驱动电路以及各类需要高效能功率开关的电子设备中， 能够满足对紧凑布局和热性能要求较高的应用场景。
IRLR8103VPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR8103VPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。