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IRLR7843TRPBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRLR7843TRPBF-HXY

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装, 额定电压30V, 峰值电流高达120A, 专为高功率、大电流应用场景设计, 如电源转换器和电机控制器, 提供卓越的开关性能与低损耗优势。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

2,845

货期

现货

IRLR7843TRPBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2845

IRLR7843TRPBF-HXY概述

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装, 额定电压30V, 峰值电流高达120A, 专为高功率、大电流应用场景设计, 如电源转换器和电机控制器, 提供卓越的开关性能与低损耗优势。

IRLR7843TRPBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRLR7843TRPBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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