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IRLR7843TRPBF&3-VB
IC

TO-252

可供量大可议

IRLR7843TRPBF&3-VB

台积电流片, 长电科技封装; 这是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。 TO252; N—Channel沟道, 30V; 100A; RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

8

货期

现货

IRLR7843TRPBF&3-VB参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存8

IRLR7843TRPBF&3-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 这是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。 TO252; N—Channel沟道, 30V; 100A; RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~2.5V

IRLR7843TRPBF&3-VB特性

暂无产品特性。

IRLR7843TRPBF&3-VB应用领域

暂无应用领域。

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