IRLR7833PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR7833PBF-HXY
该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。 凭借极低的导通损耗， 该器件适用于高效率电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景， 在持续高负载条件下仍能保持较低温升， 有助于提升系统能效与运行可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
99
货期
现货
IRLR7833PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
IRLR7833PBF-HXY概述
该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。 凭借极低的导通损耗， 该器件适用于高效率电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景， 在持续高负载条件下仍能保持较低温升， 有助于提升系统能效与运行可靠性。
IRLR7833PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR7833PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。