IRLR7821TRLPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR7821TRLPBF-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。 器件采用标准封装结构， 适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。 其低RDS(ON)特性有助于减少发热， 提升系统整体能效， 在高频开关应用中表现出良好的动态性能与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
18
货期
现货
IRLR7821TRLPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
IRLR7821TRLPBF-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。 器件采用标准封装结构， 适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。 其低RDS(ON)特性有助于减少发热， 提升系统整体能效， 在高频开关应用中表现出良好的动态性能与稳定性。
IRLR7821TRLPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR7821TRLPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。