IRLR7811WCPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR7811WCPBF-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 其低导通电阻有助于显著减少导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低的温升。 适用于电源转换、电池保护、电机驱动及各类高效开关电路等应用， 能够在高频操作中保持良好的开关性能与热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
97
货期
现货
IRLR7811WCPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
IRLR7811WCPBF-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 其低导通电阻有助于显著减少导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低的温升。 适用于电源转换、电池保护、电机驱动及各类高效开关电路等应用， 能够在高频操作中保持良好的开关性能与热稳定性。
IRLR7811WCPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR7811WCPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。