IRLR3705ZPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR3705ZPBF-HXY
IRLR3705ZPbF 是一款N沟道MOSFET, 采用标准TO-252-2L封装, 专为高功率电子设备设计。 器件支持高达60V的漏源电压(VDSS), 并能承载最大80A的连续漏极电流(ID), 展现出卓越的电流承载能力。 其亮点在于仅6.5mΩ的低导通电阻(RD(on)), 确保在大电流工作时仍能保持高效率和低发热。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是构建高性能、节能电路的理想半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
353
货期
现货
IRLR3705ZPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 353 |
IRLR3705ZPBF-HXY概述
IRLR3705ZPbF 是一款N沟道MOSFET, 采用标准TO-252-2L封装, 专为高功率电子设备设计。 器件支持高达60V的漏源电压(VDSS), 并能承载最大80A的连续漏极电流(ID), 展现出卓越的电流承载能力。 其亮点在于仅6.5mΩ的低导通电阻(RD(on)), 确保在大电流工作时仍能保持高效率和低发热。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是构建高性能、节能电路的理想半导体组件。
IRLR3705ZPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR3705ZPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
