库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
IRLR3705ZPBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRLR3705ZPBF-HXY

IRLR3705ZPbF 是一款N沟道MOSFET, 采用标准TO-252-2L封装, 专为高功率电子设备设计。 器件支持高达60V的漏源电压(VDSS), 并能承载最大80A的连续漏极电流(ID), 展现出卓越的电流承载能力。 其亮点在于仅6.5mΩ的低导通电阻(RD(on)), 确保在大电流工作时仍能保持高效率和低发热。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是构建高性能、节能电路的理想半导体组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

353

货期

现货

IRLR3705ZPBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存353

IRLR3705ZPBF-HXY概述

IRLR3705ZPbF 是一款N沟道MOSFET, 采用标准TO-252-2L封装, 专为高功率电子设备设计。 器件支持高达60V的漏源电压(VDSS), 并能承载最大80A的连续漏极电流(ID), 展现出卓越的电流承载能力。 其亮点在于仅6.5mΩ的低导通电阻(RD(on)), 确保在大电流工作时仍能保持高效率和低发热。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是构建高性能、节能电路的理想半导体组件。

IRLR3705ZPBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRLR3705ZPBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件