IRLR3636TRLPBF
IC
DPAK
可供量大可议
IRLR3636TRLPBF
特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。 在4.5V VGS时具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩SOA特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。 应用：DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
品牌
Infineon
封装
DPAK
库存
20
货期
现货
IRLR3636TRLPBF参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
IRLR3636TRLPBF概述
特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。 在4.5V VGS时具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩SOA特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。 应用：DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
IRLR3636TRLPBF特性
暂无产品特性。
IRLR3636TRLPBF应用领域
暂无应用领域。