IRLR3410PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR3410PBF-HXY
IRLR3410PbF 型号N沟道MOS管, 采用TO-252-2L封装, 具备出色的散热性能和紧凑体积, 适合各种电子设备应用。 器件拥有100V的额定电压VDSS, 提供高达20A的连续电流ID承载能力, 满足高电压、大电流需求。 虽然其导通电阻为80mR, 但在同类产品中仍具有较高性价比, 有助于优化系统效率并降低能耗。 广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 出厂前经过严格质量检测, 确保在各种工况下稳定可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
165
货期
现货
IRLR3410PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 165 |
IRLR3410PBF-HXY概述
IRLR3410PbF 型号N沟道MOS管, 采用TO-252-2L封装, 具备出色的散热性能和紧凑体积, 适合各种电子设备应用。 器件拥有100V的额定电压VDSS, 提供高达20A的连续电流ID承载能力, 满足高电压、大电流需求。 虽然其导通电阻为80mR, 但在同类产品中仍具有较高性价比, 有助于优化系统效率并降低能耗。 广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 出厂前经过严格质量检测, 确保在各种工况下稳定可靠运行。
IRLR3410PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR3410PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
