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IRLR3410PBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRLR3410PBF-HXY

IRLR3410PbF 型号N沟道MOS管, 采用TO-252-2L封装, 具备出色的散热性能和紧凑体积, 适合各种电子设备应用。 器件拥有100V的额定电压VDSS, 提供高达20A的连续电流ID承载能力, 满足高电压、大电流需求。 虽然其导通电阻为80mR, 但在同类产品中仍具有较高性价比, 有助于优化系统效率并降低能耗。 广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 出厂前经过严格质量检测, 确保在各种工况下稳定可靠运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

165

货期

现货

IRLR3410PBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存165

IRLR3410PBF-HXY概述

IRLR3410PbF 型号N沟道MOS管, 采用TO-252-2L封装, 具备出色的散热性能和紧凑体积, 适合各种电子设备应用。 器件拥有100V的额定电压VDSS, 提供高达20A的连续电流ID承载能力, 满足高电压、大电流需求。 虽然其导通电阻为80mR, 但在同类产品中仍具有较高性价比, 有助于优化系统效率并降低能耗。 广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 出厂前经过严格质量检测, 确保在各种工况下稳定可靠运行。

IRLR3410PBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRLR3410PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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