IRLR3110ZTRLPBF
IC
DPAK(TO-252AA)
可供量大可议
IRLR3110ZTRLPBF
这款HEXFET功率MOSFET专为工业应用而设计， 采用了最新的加工技术， 以实现单位硅片面积极低的导通电阻。 该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。 这些特性相结合， 使该设计成为一款极其高效可靠的器件， 适用于工业应用及其他各种应用场景
Brand
Infineon
Package
DPAK(TO-252AA)
Stock
2
货期
现货
IRLR3110ZTRLPBFParameters
| 封装 | DPAK(TO-252AA) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IRLR3110ZTRLPBF概述
这款HEXFET功率MOSFET专为工业应用而设计， 采用了最新的加工技术， 以实现单位硅片面积极低的导通电阻。 该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。 这些特性相结合， 使该设计成为一款极其高效可靠的器件， 适用于工业应用及其他各种应用场景
IRLR3110ZTRLPBF特性
暂无产品特性。
IRLR3110ZTRLPBF应用领域
暂无应用领域。