IRLR3103PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR3103PBF-HXY
IRLR3103PbF 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用TO-252-2L封装， 专为高功率应用设计。 器件提供30V的VDSS耐压值， 支持高达20A的连续漏极电流ID， 展现强大的电流处理能力。 其导通电阻RD(on)仅为15mΩ， 保证了优秀的能效表现， 降低系统损耗。 适用于电源转换、大电流开关控制、电机驱动等领域， 是实现高效率、大电流操作的理想半导体器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
9
货期
现货
IRLR3103PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
IRLR3103PBF-HXY概述
IRLR3103PbF 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用TO-252-2L封装， 专为高功率应用设计。 器件提供30V的VDSS耐压值， 支持高达20A的连续漏极电流ID， 展现强大的电流处理能力。 其导通电阻RD(on)仅为15mΩ， 保证了优秀的能效表现， 降低系统损耗。 适用于电源转换、大电流开关控制、电机驱动等领域， 是实现高效率、大电流操作的理想半导体器件。
IRLR3103PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR3103PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。