IRLR2905ZTRPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR2905ZTRPBF-HXY
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备60V的漏源耐压（VDSS）和50A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至11mΩ， 适用于高效率电源转换与功率控制场景。 器件采用成熟工艺制造， 具有良好的热稳定性和可靠性， 可广泛用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中， 满足高频开关与低损耗设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
171
货期
现货
IRLR2905ZTRPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 171 |
IRLR2905ZTRPBF-HXY概述
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备60V的漏源耐压（VDSS）和50A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至11mΩ， 适用于高效率电源转换与功率控制场景。 器件采用成熟工艺制造， 具有良好的热稳定性和可靠性， 可广泛用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中， 满足高频开关与低损耗设计需求。
IRLR2905ZTRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR2905ZTRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。