IRLR2905TRLPBF

第五代HEXFET采用先进的处理技术， 在每单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。 结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计， 为设计人员提供了一种极其高效的器件， 可用于各种应用。 D-PAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直插式版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中， 功率耗散水平可达1.5瓦。