IRLR2905TR(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
IRLR2905TR(UMW)
特性：使用先进的沟槽技术和设计， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）：60V。 漏极电流（ID）：30A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 23mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 29mΩ（VGS = 4.5V）。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 获得无铅产品认证
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
475
货期
现货
IRLR2905TR(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 475 |
IRLR2905TR(UMW)概述
特性：使用先进的沟槽技术和设计， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）：60V。 漏极电流（ID）：30A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 23mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 29mΩ（VGS = 4.5V）。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 获得无铅产品认证
IRLR2905TR(UMW)特性
暂无产品特性。
IRLR2905TR(UMW)应用领域
暂无应用领域。