IRLR2705TRLPBF
IC
DPAK(TO-252AA)
可供量大可议
IRLR2705TRLPBF
第五代HEXFET采用先进的制造工艺， 以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。 这一优势， 再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计， 为设计师提供了一种极为高效的器件， 可广泛应用于各种领域。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
品牌
Infineon
封装
DPAK(TO-252AA)
库存
1
货期
现货
IRLR2705TRLPBF参数
| 封装 | DPAK(TO-252AA) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IRLR2705TRLPBF概述
第五代HEXFET采用先进的制造工艺， 以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。 这一优势， 再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计， 为设计师提供了一种极为高效的器件， 可广泛应用于各种领域。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
IRLR2705TRLPBF特性
暂无产品特性。
IRLR2705TRLPBF应用领域
暂无应用领域。