IRLR130ATM-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100V的漏源击穿电压（VDSS）， 能够承受较高的工作电压。 其连续漏极电流（ID）为15A， 适用于中等功率负载的开关控制。 导通电阻（RDON）为100mΩ， 在导通状态下可有效降低功率损耗与发热。 该器件凭借稳定的电气特性， 广泛应用于电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中， 为各类电子设备提供高效的电流通断控制方案。