IRLR120NTRLPBF
IC
TO-252AA
可供量大可议
IRLR120NTRLPBF
第五代HEXFET采用先进的加工技术, 以实现每硅面积尽可能低的导通电阻。 这一优势, 再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效的器件, 可用于各种应用。 D-PAK专为使用气相、红外、波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直引脚版本(IRFU系列)用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5瓦。
Brand
Infineon
Package
TO-252AA
Stock
6
货期
现货
IRLR120NTRLPBFParameters
| 封装 | TO-252AA |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
IRLR120NTRLPBF概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术, 以实现每硅面积尽可能低的导通电阻。 这一优势, 再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效的器件, 可用于各种应用。 D-PAK专为使用气相、红外、波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直引脚版本(IRFU系列)用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5瓦。
IRLR120NTRLPBF特性
暂无产品特性。
IRLR120NTRLPBF应用领域
暂无应用领域。
