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IRLR120NTRLPBF
IC

TO-252AA

可供量大可议

IRLR120NTRLPBF

第五代HEXFET采用先进的加工技术, 以实现每硅面积尽可能低的导通电阻。 这一优势, 再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效的器件, 可用于各种应用。 D-PAK专为使用气相、红外、波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直引脚版本(IRFU系列)用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5瓦。

Brand

Infineon

Package

TO-252AA

Stock

6

货期

现货

IRLR120NTRLPBFParameters

封装TO-252AA
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存6

IRLR120NTRLPBF概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术, 以实现每硅面积尽可能低的导通电阻。 这一优势, 再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效的器件, 可用于各种应用。 D-PAK专为使用气相、红外、波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直引脚版本(IRFU系列)用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5瓦。

IRLR120NTRLPBF特性

暂无产品特性。

IRLR120NTRLPBF应用领域

暂无应用领域。

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