IRLR120NPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR120NPBF-HXY
IRLR120NPbF N沟道MOS管， 采用TO-252-2L封装， 专为100V高电压环境下的中等电流应用设计。 器件具备高达100V的漏源电压(VDSS)和10A连续漏极电流(ID)的能力， 确保在高电压系统中的稳定运行。 导通电阻RD(on)为140mR， 尽管电阻略高， 但依然可在适度电流条件下提供可靠的功率转换性能。 适用于电源转换、电机控制、电池管理系统等场景， 是寻求高性价比解决方案的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
118
货期
现货
IRLR120NPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 118 |
IRLR120NPBF-HXY概述
IRLR120NPbF N沟道MOS管， 采用TO-252-2L封装， 专为100V高电压环境下的中等电流应用设计。 器件具备高达100V的漏源电压(VDSS)和10A连续漏极电流(ID)的能力， 确保在高电压系统中的稳定运行。 导通电阻RD(on)为140mR， 尽管电阻略高， 但依然可在适度电流条件下提供可靠的功率转换性能。 适用于电源转换、电机控制、电池管理系统等场景， 是寻求高性价比解决方案的理想选择。
IRLR120NPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR120NPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。