IRLR024NTRPBF-JSM
IC
TO-252
可供量大可议
IRLR024NTRPBF-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：42W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：37mΩ@10A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-252
库存
1,200
货期
现货
IRLR024NTRPBF-JSM参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1200 |
IRLR024NTRPBF-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：42W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：37mΩ@10A, 10V
IRLR024NTRPBF-JSM特性
暂无产品特性。
IRLR024NTRPBF-JSM应用领域
暂无应用领域。