IRLR024NPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRLR024NPBF-HXY
IRLR024NPbF 是一款高性能N沟道MOS管， 采用行业标准TO-252-2L封装， 结构紧凑且散热良好。 该器件亮点在于具备60V的最大漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)， 能有效应对高压大电流应用场景。 其导通电阻低至38mΩ， 显著提升系统能效， 降低功耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动等电路设计， 是高功率、高效能电子设备的优选组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
20
货期
现货
IRLR024NPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
IRLR024NPBF-HXY概述
IRLR024NPbF 是一款高性能N沟道MOS管， 采用行业标准TO-252-2L封装， 结构紧凑且散热良好。 该器件亮点在于具备60V的最大漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)， 能有效应对高压大电流应用场景。 其导通电阻低至38mΩ， 显著提升系统能效， 降低功耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动等电路设计， 是高功率、高效能电子设备的优选组件。
IRLR024NPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLR024NPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。