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IRLR014PBF
IC

DPAK(TO-252)

可供量大可议

IRLR014PBF

第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直插式版本适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5W。

品牌

VISHAY

封装

DPAK(TO-252)

库存

4

货期

现货

IRLR014PBF参数

封装DPAK(TO-252)
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存4

IRLR014PBF概述

第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直插式版本适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5W。

IRLR014PBF特性

暂无产品特性。

IRLR014PBF应用领域

暂无应用领域。

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