IRLML6402TR-ALJ
IC
SOT-23
可供量大可议
IRLML6402TR-ALJ
特性：P沟道MOSFET。 VDS = -20V, RDS(ON) ≤ 65mΩ @VGS = -4.5V, ID = -3.7A。 超低导通电阻， 快速开关。 应用：负载开关、电池保护电路等。
品牌
ALJ
封装
SOT-23
库存
3,000
货期
现货
IRLML6402TR-ALJ参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ALJ(龙晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
IRLML6402TR-ALJ概述
特性：P沟道MOSFET。 VDS = -20V, RDS(ON) ≤ 65mΩ @VGS = -4.5V, ID = -3.7A。 超低导通电阻， 快速开关。 应用：负载开关、电池保护电路等。
IRLML6402TR-ALJ特性
暂无产品特性。
IRLML6402TR-ALJ应用领域
暂无应用领域。