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IRLML6344PBF-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

IRLML6344PBF-HXY

IRLML6344PbF 是一款N沟道MOSFET, 采用小型化无铅SOT-23封装, 专为高效率、低功耗电路设计。 器件具有30V的漏源电压额定值(VDSS), 能够承载最大5.8A的漏极电流(ID), 并配备出色的导通性能, 导通电阻仅为28mR(RD(on))。 广泛应用于开关电源转换、电机驱动及各类高功率电子设备, 这款MOS管凭借其卓越的电流处理能力和能效表现, 成为电路设计的理想组件之一。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

155

货期

现货

IRLML6344PBF-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存155

IRLML6344PBF-HXY概述

IRLML6344PbF 是一款N沟道MOSFET, 采用小型化无铅SOT-23封装, 专为高效率、低功耗电路设计。 器件具有30V的漏源电压额定值(VDSS), 能够承载最大5.8A的漏极电流(ID), 并配备出色的导通性能, 导通电阻仅为28mR(RD(on))。 广泛应用于开关电源转换、电机驱动及各类高功率电子设备, 这款MOS管凭借其卓越的电流处理能力和能效表现, 成为电路设计的理想组件之一。

IRLML6344PBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRLML6344PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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