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IRLML5103TRPBF
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可供量大可议

IRLML5103TRPBF

Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 760 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚

品牌

infineon

封装

库存

15,347

货期

现货

IRLML5103TRPBF参数

分类场效应管(MOSFET)
库存15347
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)540mW
栅极电荷量(Qg)5.1nC@10V
反向传输电容(Crss)18pF
类型P沟道
品牌infineon
批次2528+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)75pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)37pF

IRLML5103TRPBF概述

场效应管(MOSFET) 540mW 30V 760mA 1个P沟道

IRLML5103TRPBF特性

暂无产品特性。

IRLML5103TRPBF应用领域

暂无应用领域。

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