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IRLML2803PBF-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

IRLML2803PBF-HXY

IRLML2803PbF MOS管是一款高性能N沟道器件, 采用小型化SOT-23封装, 适合空间有限的设计需求。 该器件具有30V的最高耐压值(VDSS), 能够提供稳定的4A漏极电流(ID), 并在导通状态下展现低至29mΩ的导通电阻(RD(on))。 这款MOS管凭借其出色的开关性能与低功耗特性, 广泛适用于电源管理、负载开关及各类电子设备的控制电路中, 助力系统效能优化与节能升级。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

3,200

货期

现货

IRLML2803PBF-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存3200

IRLML2803PBF-HXY概述

IRLML2803PbF MOS管是一款高性能N沟道器件, 采用小型化SOT-23封装, 适合空间有限的设计需求。 该器件具有30V的最高耐压值(VDSS), 能够提供稳定的4A漏极电流(ID), 并在导通状态下展现低至29mΩ的导通电阻(RD(on))。 这款MOS管凭借其出色的开关性能与低功耗特性, 广泛适用于电源管理、负载开关及各类电子设备的控制电路中, 助力系统效能优化与节能升级。

IRLML2803PBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRLML2803PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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