IRLML2803PBF-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
IRLML2803PBF-HXY
IRLML2803PbF MOS管是一款高性能N沟道器件, 采用小型化SOT-23封装, 适合空间有限的设计需求。 该器件具有30V的最高耐压值(VDSS), 能够提供稳定的4A漏极电流(ID), 并在导通状态下展现低至29mΩ的导通电阻(RD(on))。 这款MOS管凭借其出色的开关性能与低功耗特性, 广泛适用于电源管理、负载开关及各类电子设备的控制电路中, 助力系统效能优化与节能升级。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
3,200
货期
现货
IRLML2803PBF-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3200 |
IRLML2803PBF-HXY概述
IRLML2803PbF MOS管是一款高性能N沟道器件, 采用小型化SOT-23封装, 适合空间有限的设计需求。 该器件具有30V的最高耐压值(VDSS), 能够提供稳定的4A漏极电流(ID), 并在导通状态下展现低至29mΩ的导通电阻(RD(on))。 这款MOS管凭借其出色的开关性能与低功耗特性, 广泛适用于电源管理、负载开关及各类电子设备的控制电路中, 助力系统效能优化与节能升级。
IRLML2803PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLML2803PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
