IRLL014TRPBF
自营可供
IC
SOT-223
IRLL014TRPBF
场效应管(MOSFET) 2W； 3.1W 60V 2.7A 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
SOT-223
交期
现货
批次
26+
IRLL014TRPBF参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 400pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:1.7A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16,893 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@5V |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| 商品型号 | IRLL014TRPBF |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000272 |
IRLL014TRPBF概述
场效应管(MOSFET) 2W； 3.1W 60V 2.7A 1个N沟道
IRLL014TRPBF特性
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 快速开关
- 易于并联