IRLL014NTRPBF-VB
自营可供
IC
SOT-223
IRLL014NTRPBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要小功率场效应管的应用场景， 例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。 SOT223； N—Channel沟道, 60V； 4.5A； RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
交期
现货
批次
—
IRLL014NTRPBF-VB参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V； 10nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@10V； 85mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 810pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
| 商品型号 | IRLL014NTRPBF-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000168 |
IRLL014NTRPBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要小功率场效应管的应用场景， 例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。 SOT223； N—Channel沟道, 60V； 4.5A； RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
IRLL014NTRPBF-VB特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
IRLL014NTRPBF-VB应用领域
- 便携式设备的负载开关