IRLH7134TRPBF-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
IRLH7134TRPBF-HXY
该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至2.8毫欧。 其极低的导通电阻有效降低了导通损耗， 在大电流工作条件下仍能保持较高的能效与较低的温升。 适用于对功率处理能力和热性能要求较高的应用场景， 如高效电源系统、电机驱动电路以及高密度电子设备中的功率开关和同步整流功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
61
货期
现货
IRLH7134TRPBF-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 61 |
IRLH7134TRPBF-HXY概述
该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至2.8毫欧。 其极低的导通电阻有效降低了导通损耗， 在大电流工作条件下仍能保持较高的能效与较低的温升。 适用于对功率处理能力和热性能要求较高的应用场景， 如高效电源系统、电机驱动电路以及高密度电子设备中的功率开关和同步整流功能。
IRLH7134TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRLH7134TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。