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IRLB3036PBF-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

IRLB3036PBF-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于高功率控制和驱动应用。 TO220; N—Channel沟道, 60V; 270A; RDS(ON)=1.6mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

8

货期

现货

IRLB3036PBF-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存8

IRLB3036PBF-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于高功率控制和驱动应用。 TO220; N—Channel沟道, 60V; 270A; RDS(ON)=1.6mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~2.5V

IRLB3036PBF-VB特性

暂无产品特性。

IRLB3036PBF-VB应用领域

暂无应用领域。

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