IRLB3036PBF
IC
TO-220AB
可供量大可议
IRLB3036PBF
特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V的VGS下具有极低的RDS(ON)。 在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。 应用：DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
品牌
Infineon
封装
TO-220AB
库存
74
货期
现货
IRLB3036PBF参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 74 |
IRLB3036PBF概述
特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V的VGS下具有极低的RDS(ON)。 在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。 应用：DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
IRLB3036PBF特性
暂无产品特性。
IRLB3036PBF应用领域
暂无应用领域。