IRL7833PBF-VB
自营可供
IC
TO-220AB
IRL7833PBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道场效应管， 采用Trench工艺， 适用于电源开关模块、汽车电子模块、工业自动化控制模块等领域。 TO220； N—Channel沟道, 30V； 140A； RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
交期
现货
批次
—
IRL7833PBF-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 栅极电荷量(Qg) | 81.5nC@4.5V； 171nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:140A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V； 2.8mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 8.4nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
| 商品型号 | IRL7833PBF-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.002672 |
IRL7833PBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道场效应管， 采用Trench工艺， 适用于电源开关模块、汽车电子模块、工业自动化控制模块等领域。 TO220； N—Channel沟道, 30V； 140A； RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
IRL7833PBF-VB特性
- DT沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
IRL7833PBF-VB应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流-直流转换