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IRL640PBF-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

IRL640PBF-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于各种电源管理和功率控制应用。 TO220; N—Channel沟道, 200V; 30A; RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3V

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

20

货期

现货

IRL640PBF-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

IRL640PBF-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于各种电源管理和功率控制应用。 TO220; N—Channel沟道, 200V; 30A; RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3V

IRL640PBF-VB特性

暂无产品特性。

IRL640PBF-VB应用领域

暂无应用领域。

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