IRL6372TRPBF-VB
IC
SO-8
可供量大可议
IRL6372TRPBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N通道功率场效应管， 采用Trench工艺， 适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 30V； 8.5A； RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
1
货期
现货
IRL6372TRPBF-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:30V 电流:7.2A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V； 20mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 660pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
| 商品型号 | IRL6372TRPBF-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000325 |
IRL6372TRPBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N通道功率场效应管， 采用Trench工艺， 适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 30V； 8.5A； RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.5V
IRL6372TRPBF-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
IRL6372TRPBF-VB应用领域
- 笔记本电脑系统电源
- 低电流直流-直流(DC/DC)转换