IRL6342TRPBF-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
IRL6342TRPBF-HXY
该N沟道场效应管漏源击穿电压为30V, 连续漏极电流8.5A, 导通电阻14毫欧。 器件凭借适中的电流承载能力与低内阻特性, 适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及负载开关应用。 在直流电机驱动与供电切换场景中, 其参数配置有助于降低导通损耗, 提升系统能效并维持热稳定性, 满足紧凑空间下的电路设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
35
货期
现货
IRL6342TRPBF-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
IRL6342TRPBF-HXY概述
该N沟道场效应管漏源击穿电压为30V, 连续漏极电流8.5A, 导通电阻14毫欧。 器件凭借适中的电流承载能力与低内阻特性, 适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及负载开关应用。 在直流电机驱动与供电切换场景中, 其参数配置有助于降低导通损耗, 提升系统能效并维持热稳定性, 满足紧凑空间下的电路设计需求。
IRL6342TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRL6342TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
