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IRL6342TRPBF-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

IRL6342TRPBF-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为30V, 连续漏极电流8.5A, 导通电阻14毫欧。 器件凭借适中的电流承载能力与低内阻特性, 适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及负载开关应用。 在直流电机驱动与供电切换场景中, 其参数配置有助于降低导通损耗, 提升系统能效并维持热稳定性, 满足紧凑空间下的电路设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

35

货期

现货

IRL6342TRPBF-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存35

IRL6342TRPBF-HXY概述

该N沟道场效应管漏源击穿电压为30V, 连续漏极电流8.5A, 导通电阻14毫欧。 器件凭借适中的电流承载能力与低内阻特性, 适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及负载开关应用。 在直流电机驱动与供电切换场景中, 其参数配置有助于降低导通损耗, 提升系统能效并维持热稳定性, 满足紧凑空间下的电路设计需求。

IRL6342TRPBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRL6342TRPBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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