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IRL530STRR-VB
IC

D2PAK(TO-263)

可供量大可议

IRL530STRR-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N型MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于需要散热性能较好的应用。 TO263; N—Channel沟道, 100V; 20A; RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3V

品牌

VBsemi

封装

D2PAK(TO-263)

库存

40

货期

现货

IRL530STRR-VB参数

封装D2PAK(TO-263)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存40

IRL530STRR-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N型MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于需要散热性能较好的应用。 TO263; N—Channel沟道, 100V; 20A; RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3V

IRL530STRR-VB特性

暂无产品特性。

IRL530STRR-VB应用领域

暂无应用领域。

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