IRGR3B60KD2TRP
IC
DPAK
可供量大可议
IRGR3B60KD2TRP
特性：低VCE (on)非穿通IGBT技术。 低二极管VF。 10μs短路能力。 方形RBSOA。 超软二极管反向恢复特性。 正VCE (on)温度系数。 无铅
品牌
Infineon
封装
DPAK
库存
200
货期
现货
IRGR3B60KD2TRP参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 200 |
IRGR3B60KD2TRP概述
特性：低VCE (on)非穿通IGBT技术。 低二极管VF。 10μs短路能力。 方形RBSOA。 超软二极管反向恢复特性。 正VCE (on)温度系数。 无铅
IRGR3B60KD2TRP特性
暂无产品特性。
IRGR3B60KD2TRP应用领域
暂无应用领域。