IRG7PH46UD-EP-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IRG7PH46UD-EP-HXY
本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 适用于高耐压、大功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在保证性能的同时降低了导通损耗。 内置二极管支持40A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的热稳定性与可靠性。 该模块设计紧凑, 效率高, 适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
43
货期
现货
IRG7PH46UD-EP-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 43 |
IRG7PH46UD-EP-HXY概述
本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 适用于高耐压、大功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在保证性能的同时降低了导通损耗。 内置二极管支持40A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的热稳定性与可靠性。 该模块设计紧凑, 效率高, 适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。
IRG7PH46UD-EP-HXY特性
暂无产品特性。
IRG7PH46UD-EP-HXY应用领域
暂无应用领域。
