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IRG7PH46UD-EP-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

IRG7PH46UD-EP-HXY

本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 适用于高耐压、大功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在保证性能的同时降低了导通损耗。 内置二极管支持40A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的热稳定性与可靠性。 该模块设计紧凑, 效率高, 适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

43

货期

现货

IRG7PH46UD-EP-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存43

IRG7PH46UD-EP-HXY概述

本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 适用于高耐压、大功率应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在保证性能的同时降低了导通损耗。 内置二极管支持40A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的热稳定性与可靠性。 该模块设计紧凑, 效率高, 适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。

IRG7PH46UD-EP-HXY特性

暂无产品特性。

IRG7PH46UD-EP-HXY应用领域

暂无应用领域。

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