IRFZ44NS-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
IRFZ44NS-HXY
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-263封装， 具有55V高耐压及卓越的49A大电流处理能力。 专为高性能、高功率开关应用设计， 广泛应用于各类消费电子产品中， 提供出色的能效与系统稳定性表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
306
货期
现货
IRFZ44NS-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 306 |
IRFZ44NS-HXY概述
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-263封装， 具有55V高耐压及卓越的49A大电流处理能力。 专为高性能、高功率开关应用设计， 广泛应用于各类消费电子产品中， 提供出色的能效与系统稳定性表现。
IRFZ44NS-HXY特性
暂无产品特性。
IRFZ44NS-HXY应用领域
暂无应用领域。